半导体光电杂志
半导体光电杂志基础信息:
《半导体光电》杂志是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
半导体光电杂志栏目设置:
本刊主要栏目:动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。
半导体光电杂志订阅方式:
ISSN:1001-5868,CN:50-1092/TN,地址:重庆市南坪花园路14号44所内,邮政编码:400060。
半导体光电杂志社相关期刊- 半导体技术杂志半导体光电杂志社投稿信息1.来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼,每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向),在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助,没有的不注明。
2.论文摘要尽量写成报道性文摘,包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右),应具有独立性与自含性,关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3~5个)。
3.文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字,一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写,正、斜体,黑、白体,上下角标应区别明显。
4.文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅,图像要清晰,层次要分明。
5.参考文献的著录格式采用顺序编码制,请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的,请采用脚注方式标明,参考文献不少于3条。
6.来稿勿一稿多投。收到稿件之后,5个工作日内审稿,电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知(特别需要者可寄送纸质录用通知),则请与本部联系确认。
7.来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议,稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改,杂志一个版面2500字,二个版面5000字左右。作者需要安排版面数,出刊日期,是否加急等情况,请在邮件投稿时作特别说明。
8.请作者自留备份稿,本部不退稿。
9.论文一经发表,赠送当期样刊1-2册,需快递的联系本部。
10.请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话(包括手机)、邮编等信息,以便联系有关事宜。
半导体光电杂志社编辑部征稿波导微环共振滤波器的滤波特性分析SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究双层异质结器件载流子复合位置的研究用于红外单光子探测的APD二次封装技术Si基Ge量子点光电探测器的研究GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性两基色白光LED的光视效能的研究1.55μmDFBLD光栅结构的优化设计用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管Er3+/Yb3+共掺磷酸盐光纤放大器增益分析新模型光伏型光电探测器漂移-扩散模型的改进集成光波导微应力传感器研究数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪MEMS封装用局部激光键合法及其实现InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响超晶格量子阱的沟道效应与光学双稳态效应掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理铟对GaN基激光器晶体质量的影响Ag/S/C共掺杂纳米TiO2的制备与光催化活性可溶性PMOTOPV的合成及其光致发光性能二次退火对p型GaN的应变影响圆片直接键合界面表面能测试研究