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微电子学杂志

2021-05-19 17066 电子.电信

微电子学杂志基础信息:

《微电子学》杂志创办于1970年,当年试刊4期。1971年正式创刊,1976年因故停刊,1977年复刊。1979年以前每年不定期出版4~6期;1980年起正式定为双月刊。创刊三十年来,在广大读者和作者的热心支持和辛勤浇灌下,《微电子学》已经成为半导体和微电子学界和业界颇具影响的专业期刊。《微电子学》主要报道国内微电子科学和技术领域的最新科研成果,重点关注模拟集成电路和专用集成电路技术的研究及其产品的推广应用。读者对象为:半导体行业科研人员、工程师、电子行业机关管理干部,各大专院校相关专业师生等。

微电子学杂志期刊荣誉:

《微电子学》杂志是《中文核心期刊要目总览》认定的“中文核心期刊”,英国INSPEC(SA)数据库、美国《化学文摘》(CA)、《剑桥科学文摘》(CSA)、俄罗斯《文摘杂志》(AJ)、日本《科学技术文献速报》(CBST)、波兰《哥白尼索引》(IC)等国际知名数据库的收录期刊,《中国学术期刊综合评价数据库》、《中国科学引文数据库》来源期刊和《中国科技论文统计与分析》的引用期刊。

微电子学杂志栏目设置:

本刊主要栏目有:研究论文、技术报告、综合评述、技术展望、产品与应用。

微电子学杂志订阅方式:

ISSN:1004-3365,CN:50-1090/TN,地址:重庆市南坪花园路14号24所,邮政编码:400060。

微电子学杂志社相关期刊

    没有相关工业

    微电子学杂志社投稿信息

    1.页面设置应按下面格式:字数/行数:46字/46行;页边距设为:上2.54厘米,下2.54厘米,左2厘米,右2厘米;文章篇名为二号黑体,正文内容为5号宋体;文章正文和参考文献设为双栏,中英文篇名及摘要等设为通栏。

    2.文章应包含摘要和3~8个关键词,还须附上相应的英文题名、摘要、关键词、作者单位正式对外英译名。文后应附150字以内的第一作者简历(含姓名、出生年月、性别、籍贯、民族等)。基金项目请注明编号。

    3.标题和摘要。论文标题不超过20个汉字。中英文摘要应简明扼要,说明文章的目的,主要工作过程及使用的方法,研究工作最后得到的结果和结论。中文摘要不超过300个汉字,英文摘要不超过150个英文单词。

    4.作者简介。作者简介应包括:作者姓名、出生年、性别、民族、籍贯、职称/学位,和主要研究方向。

    5.图。文内插图应精选,以不超过5幅为宜。插图宽度应小于8cm。插图中的文字应清晰可辨,字号统一选用小五号,中文选仿宋体,西文选TimesNewRoman。电路仿真图及其他计算机生成的图形须用图形处理软件进行必要的处理,使图中的文字和数字符合本刊要求。若有彩色图形,请转换成黑白图形。若图中有坐标,需注明坐标所表示的物理量(斜体)和单位(正体)。若有图注,放在图的下部。每幅图均应标明图号,给出图题。

    6.表。表格提倡三线表,必要时可加辅助线。表号和表题放在表上。表中参数应标明量和单位(用符号),若单位相同,可统一写在表关或表顶线上右侧。若有表注,写在表底线下左侧。

    7.量和单位。文中的物理量和单位应符合国家有关标准。注意区分外文字母的大、小写,正、斜体、上下角标要标示清楚。计量单位请用GB3100—3102—93《量和单位》规定的法定计量单位。

    8.参考文献。文后参考文献的著录应符合国家相关标准。主要有以下几种形式:

    a.专著:[序号] 著者.书名[M].出版地:出版者,出版年.起止页码(任选).

    b.期刊:[序号] 著者.篇名[J].刊名,出版年;卷号(期号):起止页码.

    c.论文集:[序号]著者.篇名[A].会议名[C].开会地,出版年.起止页码.

    9.请注明作者工作单位和详细通讯地址及联系电话或电子信箱。单位或联系人地址如有变动,请及时通知编辑部。

    微电子学杂志社编辑部征稿60Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量基于动态计算可观测性无关项的OBDD变量序算法超大容量语音系统的存贮方法研究单片MCU内部的电磁兼容性设计研究子网络故障模型及其应用SiGeMOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究硅的横向刻蚀技术研究无线通信领域MEMS器件的研究进展CMOS单元版图生成算法综述I2C总线接口技术在视频处理芯片中的应用低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计一种增益可控音频前置放大器电路的设计一种12位50MSPS流水线逐次逼近A/D转换器一种基于高压工艺的高精度电流采样电路一种用于半并行A/D转换器的比较器设计通用二阶曲率补偿带隙基准电压源数字电视调谐器中锁相环锁定时间的计算一种应用于DSP嵌入式存储器的灵敏放大器设计一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器一种新型低电压极限电流检测电路CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

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