半导体学报

半导体学报基础信息：

《半导体学报》是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。

半导体学报期刊荣誉：

《半导体学报》获奖情况：中科院优秀期刊二等奖（90）、全国优秀期刊三等奖（92）、全国优秀期刊三等奖（97）；该刊被以下数据库收录：CA化学文摘(美)(2009)、SA科学文摘(英)(2009)、CBST科学技术文献速报(日)(2009)、Pж(AJ)文摘杂志(俄)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中国科学引文数据库(CSCD—2008)。

半导体学报栏目设置：

《半导体学报》主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

半导体学报订阅方式：

ISSN：1674-4926，CN：11-5781/TN，地址：北京912信箱，邮政编码：100083。

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半导体学报社投稿信息

1.文章标题：一般不超过20个汉字，必要时加副标题，并译成英文。

2.作者姓名、工作单位：题目下面均应写作者姓名，姓名下面写单位名称（一、二级单位）、所在城市（不是省会的城市前必须加省名）、邮编，不同单位的多位作者应以序号分别列出上述信息。

3.提要：用第三人称写法，不以“本文”、“作者”等作主语，应是一篇能客观反映文章核心观点和创新观点的表意明确、实在的小短文，切忌写成背景交代或“中心思想”，100－200字为宜。

4.关键词：3－5个，以分号相隔，选择与文章核心内容相关的具有独立性的实在词。

5.正文标题：内容应简洁、明了，层次不宜过多，层次序号为一、（一）、1、（1），层次少时可依次选序号。

6.正文文字：一般不超过1万字，正文用小4号宋体，通栏排版。

7.数字用法：执行GB/T15835－1995《出版物上数字用法的规定》，凡公元纪年、年代、年、月、日、时刻、各种记数与计量等均采用阿拉伯数字；夏历、清代及其以前纪年、星期几、数字作为语素构成的定型词、词组、惯用语、缩略语、临近两数字并列连用的概略语等用汉字数字。

8.图表：文中尽量少用图表，必须使用时，应简洁、明了，少占篇幅，图表均采用黑色线条，分别用阿拉伯数字顺序编号，应有简明表题（表上）、图题（图下），表中数据应注明资料来源。

9.注释：注释主要包括释义性注释和引文注释，集中列于文末参考文献之前。释义性注释是对论著正文中某一特定内容的进一步解释或补充说明；引文注释包括各种不宜列入文后参考文献的引文和个别文后参考文献的节略形式，其序号为①②③……。

10.参考文献：参考文献是作者撰写论著时所引用的已公开发表的文献书目，是对引文作者、作品、出处、版本等情况的说明，文中用序号标出，详细引文情况按顺序排列文尾。以单字母方式标识以下各种参考文献类型：普通图书[Ｍ]，会议论文[Ｃ]，报纸文章[Ｎ]，期刊文章[Ｊ]，学位论文[Ｄ]，报告[Ｒ]，标准[Ｓ]，专利〔Ｐ〕，汇编[Ｇ]，档案[Ｂ]，古籍[Ｏ]，参考工具[Ｋ]，其他未说明文献〔Z〕。格式与示例如下：

（1）图书类格式：[序号]主要责任者.文献题名:其他题名信息(任选)[文献类型标识].其他责任者(任选).出版地:出版者,出版年:起止页码.

（2）期刊文章格式：[序号]主要责任者.文献题名[J].刊名(建议外文刊名后加ISSN号),年,卷(期):起止页码.

（3）报纸文章格式：[序号]主要责任者.文献题名[N].报纸名,出版日期(版次).

（4）古籍格式：[序号]主要责任者.文献题名[O].其他责任者(包括校、勘、注、批等).刊行年代(古历纪年)及刊物机构(版本).收藏机构.

（5）析出文献格式：[序号]析出文献主要责任者.析出文献题名[文献类型标识]//原文献主要责任者(任选).原文献题名.出版地:出版者,出版年:析出文献起止页码.

（6）电子文献格式：主要责任者.文献题名[文献类型标识/载体类型标识].出处或可获得地址，发表或更新日期/引用日期（任选）.

（7）文献重复引用标记：同一作者的同一文献被多次引用时，在文后参考文献中只出现一次,其中不注页码；而在正文中标注首次引用的文献序号，并在序号的角标外著录引文页码。

11．基金项目：获得国家基金资助和省部级科研项目的文章请注明基金项目名称及编号，按项目证明文字材料标示清楚。

12．作者简介：姓名（出生年-），性别，民族（汉族可省略），籍贯，现供职单位全称及职称、学位，研究方向。

13.来稿请注明作者电话、E-mail，收刊人及详细地址、邮编。

14．其他：请勿一稿两发，并请自留原稿，本刊概不退稿。

半导体学报社编辑部征稿双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型总剂量辐照加固的PDSOICMOS64k静态随机存储器库仑场对量子点中极化子性质的影响静电感应晶体管大电流特性的改善一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现一种采用斩波稳零技术的16位,96kHz带宽Σ-ΔAD转换器双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验氮掺杂对单壁碳纳米管的非平衡电子输运特性的影响采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应InGaN混溶隙的计算衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAsQD的影响GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiCn+pp+结构钝化的分析中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析