固体电子学研究与进展杂志

固体电子学研究与进展杂志基础信息：

《固体电子学研究与进展》杂志是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819。面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。

固体电子学研究与进展杂志栏目设置：

本刊主要栏目：器件物理、射频器件与电路、微电子学、光电子学、半导体材料。

固体电子学研究与进展杂志订阅方式：

ISSN：1000-3819，CN：32-1110/TN，地址：南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号），邮政编码：210016。

固体电子学研究与进展杂志社相关期刊

信息化研究杂志激光与光电子学进展杂志光通信研究杂志精细石油化工进展杂志干旱区研究杂志质量技术监督研究杂志城市发展研究杂志机械研究与应用杂志纺织科技进展杂志化工进展杂志

固体电子学研究与进展杂志社投稿信息

1．文章标题：一般不超过300个汉字以内，必要时可以加副标题，最好并译成英文。

2．作者姓名、工作单位：题目下面均应写作者姓名，姓名下面写单位名称（一、二级单位）、所在城市（不是省会的城市前必须加省名）、邮编，不同单位的多位作者应以序号分别列出上述信息。

3．提要：用第三人称写法，不以“本文”、“作者”等作主语，100－200字为宜。

4．关键词：3－5个，以分号相隔。

5．正文标题：内容应简洁、明了，层次不宜过多，层次序号为一、（一）、1、（1），层次少时可依次选序号。

6．正文文字：一般不超过1万字，用A4纸打印，正文用5号宋体。

7．数字用法：执行GB/T15835－1995《出版物上数字用法的规定》，凡公元纪年、年代、年、月、日、时刻、各种记数与计量等均采用阿拉伯数字；夏历、清代及其以前纪年、星期几、数字作为语素构成的定型词、词组、惯用语、缩略语、临近两数字并列连用的概略语等用汉字数字。

8．图表：文中尽量少用图表，必须使用时，应简洁、明了，少占篇幅，图表均采用黑色线条，分别用阿拉伯数字顺序编号，应有简明表题（表上）、图题（图下），表中数字应注明资料来源。

9．注释：是对文章某一特定内容的解释或说明，其序号为①②③……，注释文字与标点应与正文一致，注释置于文尾，参考文献之前。

10．参考文献：是对引文作者、作品、出处、版本等情况的说明，文中用序号标出，详细引文情况按顺序排列文尾。以单字母方式标识以下各种参考文献类型：普通图书[M]，会议论文[C]，报纸文章[N]，期刊文章[J]，学位论文[D]，报告[R]，标准[S]，专利〔P〕，汇编[G]，档案[B]，古籍[O]，参考工具[K]。

11．基金资助：获得国家基金资助和省部级科研项目的文章请注明基金项目名称及编号，按项目证明文字材料标示清楚.

12．作者简介：第一作者姓名（出生年月-），性别，民族（汉族可省略），籍贯，现供职单位全称及职称、学位，研究方向。

13．其他：请勿一稿两投，并请自留原稿，本刊概不退稿，投寄稿件后,等待审查。审查通过编辑部会通知您一般杂志社审核时间是1-3个月：如果要是到我中心给你论文发表请详细看。

固体电子学研究与进展杂志社编辑部征稿超薄HfO_2高K栅介质薄膜的软击穿特性纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究n沟道4H-SiCMESFET研究RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜注入同步锁相环式时钟恢复电路MMIC的设计和实现组合式非周期缺陷接地结构中FDTD应用研究一种X波段GaAs单片单刀双掷开关与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析HBT小信号等效电路参数解析提取HfO_2/TaON叠层栅介质GepMOSFET制备及迁移率退化研究基于量子元胞自动机的奇偶校验系统分块设计基于碳纳米管宏观体的热线式流速探针三终端量子环的透射概率和概率流密度应变Si/(001)Si1-xGex价带结构超薄HfN界面层对HfO_2栅介质GepMOSFET电性能的改进四终端量子环自旋输运的性质应变Si(100)态密度模型横向接触式RFMEMS开关一种低功耗自动频率修正的复数滤波器设计一款应用于GPS接收机的抗失配零中频混频器