人工晶体学报杂志

人工晶体学报杂志基础信息：

《人工晶体学报》是由中材人工晶体研究院主办，由《人工晶体学报》编辑委员会编辑，《人工晶体学报》编辑部出版的国家级学术性期刊，是我国唯一专门刊登人工晶体材料这一高新技术研究领域成果的学术性刊物。《人工晶体学报》以“让中国晶体走向世界让世界关注中国晶体”为己任，论文年内容集中反映了我国人工晶体材料研究领域的最新成果，覆盖了本学科的所有研究项目和应用领域，成为世界了解我国人工晶体材料研究领域的重要窗口。《人工晶体学报》以论文和简报等形式及时报道我国在晶体材料、半导体材料、光电子材料、新能源材料（太阳能电池材料、锂离子电池材料、固体氧化物燃料电池材料）、纳米材料、薄膜材料、超硬材料和高技术陶瓷等在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的最新科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动及会展信息。刊户覆盖以上各行业的大专院校、科研院所、生产经营单位和省（市）图书馆、政府相关部门，该刊已在美、日、英、俄、德等国家和地区发行。学报编委会由全国30多位知名院士、教授和专家组成，负责确定《学报》的办刊宗旨及审定论文的质量。

人工晶体学报杂志收录情况：

《人工晶体学报》为美国《工程索引》（EI）收录源期刊；此外，早已收录《学报》的其它国际著名检索系统有：美国《化学文摘》（CA），英国《科学文摘》（INSPEC），日本《科技文献速报》（JICST），俄罗斯《文摘杂志》（AJ）。在国内，《人工晶体学报》为"中文核心期刊"；已被《中国科技文献数据库》收录，全文内容在"万方数据--数字化期刊群"系统上网；被《中国期刊网》、《中国学术期刊（光盘版）》全文收录；是《中国学术期刊综合评价数据库》来源期刊；《中国学术期刊文摘》首批收录的源期刊。本刊曾荣获“全国优秀科技期刊”奖,并多次荣获部级“科技优秀期刊”等多种奖励。经过多年的发展，目前《人工晶体学报》日益受到国内外读者的广泛欢迎，受到美国、俄罗斯、日本、捷克等国外科研企业的高度关注，国外有关公司已通过《学报》所展示的信息与国内有关单位进行了广泛接触与交流。他们的目标是追踪高科技前沿，主推高学术水平，展示技术与工程的结合，促进产业化发展。

人工晶体学报杂志获奖情况：

获奖情况：1997年获全国第二届优秀科技期刊奖，1987年获优秀编辑二等奖，1989年获优秀期刊奖，中文核心期刊(2008)，中文核心期刊(2004)，中文核心期刊(2000)，中文核心期刊(1996)，中科双效期刊，Caj-cd规范获奖期刊。

人工晶体学报杂志订阅方式：

《人工晶体学报》创刊于1972年6月，英文刊名：JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS,该刊登记注册的国际、国内刊号为：ISSN1000-985X,CN1-2637/O7，CODENRJXUEN。地址：北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱，邮政编码：100018。现为双月刊。

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人工晶体学报杂志社投稿信息

1、文题、作者姓名（一般不超过6人）、作者单位及所在城市和邮编、摘要、关键词均需中英文对照。论文如果获得有关研究基金或课题资助，需提供基金名称及编号，并提供第一作者的姓名、出生年、性别、职称、学位及E-mail地址；以及联系人姓名、职称、电话、传真及E-mail地址。

2、论文题目应简洁、准确，不宜使用缩略词；摘要（中文）字数一般在200字左右，英文摘要字数可稍多，不一定与中文部分完全对应。摘要内容应包括论文的研究目的、方法及结果等；关键词的个数为3～8个。文章字数3000～5000字，文中量、单位及符号的使用应符合国际标准和国家标准。注意容易混淆的外文字母的文种、大小写、正斜体及上下角标的正确书写。

3、图（含照片）、表和公式应通篇分别编号，图题、表题应有中英文对照。表格应采用三线表形式，内容以英文表述。曲线图应直观、简洁，图中文字用英文、量的名称及符号、坐标要准确、清晰（物理量符号用斜体，单位用正体）并与文中一致，曲线图的尺寸（高*宽）以100×130mm为宜，为方便修改，文中曲线图应采用计算机绘图，最好用Origin格式插入，字体采用Arial，4号字（24磅），激光打印机打印。照片要求黑白分明，层次清晰。

4、参考文献书写格式请参考以下《人工晶体学报》参考文献书写规范。

5、稿件具体格式、体例请参考近期出版的《人工晶体学报》中文版（点击可下载范例）。

人工晶体学报杂志社编辑部征稿AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究太赫兹声子极化激元在LiNbO_3微结构中的衍射和干涉动态过程的时间分辨成像不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征大尺寸KDP晶体切削开裂效应数值模拟分析研究铜单晶的定向方法研究弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为福建物构所中远红外非线性光学材料结构设计取得突破辉光功率对n型a-Si:H薄膜结构及性能的影响钨酸铅闪烁晶体垂直梯度凝固法生长及光学性能研究温度梯度法BaY_2F_8晶体生长中的小面研究SiO_2气凝胶小球热处理过程中的相变研究籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体ZnWO_4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析二维声子晶体异质线缺陷的声波导特性Ti-Al-Nb_2O_5系原位合成Al_2O_3晶须的形成机理分析采用DCArcPlasmaJetCVD方法沉积微/纳米复合自支撑金刚石膜采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜pH值对KDP晶体溶解度和溶液稳定性的影响中红外激光晶体Er∶KPb_2Cl_5的原料制备和晶体生长纳米软磁粉体烧结过程中的晶粒生长动力学研究进展非配位性溶剂中CdS纳米颗粒的生长动力学及其机理研究甲酸根离子掺杂的卤化银中空穴陷阱效应分析